美國陸軍聯手 Navitas 搶攻高壓碳化矽 助美軍關鍵系統升級

商傳媒｜責任編輯／綜合外電報導

美國陸軍已選定半導體公司 Navitas Semiconductor（NASDAQ 股票代碼 NVTS，美國那斯達克交易所掛牌的上市公司）作為合作夥伴，共同開發下一代 10 kV 碳化矽（SiC）功率半導體技術。這項技術，如同電動車與再生能源設備中的「心臟」，能高效轉換並控制電力，是高功率、高效率應用不可或缺的關鍵材料，將有助於強化美軍關鍵系統的電力效能與可靠性。

根據《SEC EDGAR》報導，這項合作計畫名為 ALATTIS，目標是透過迭代設計、製造與測試，開發並驗證 10 kV 碳化矽絕緣閘雙極性電晶體（IGBTs）及其相關 PiN 二極體技術。該計畫由美國陸軍作戰能力發展司令部（DEVCOM）旗下的美國軍方調查實驗室（Army Research Laboratory, ARL）贊助，旨在開創目前市場上尚未出現的 10 kV IGBTs 新型國內製造流程。

Navitas Semiconductor 在超高壓碳化矽領域已深耕逾 20 年，其產品線涵蓋 650 伏特至 6.5 千伏的電壓範圍。公司早在 2010 年就推出了 6.5 kV 碳化矽閘流體，並於 2021 年實現 6.5 kV 碳化矽 MOSFET 的商業化發布。Navitas Semiconductor 資深副總裁暨技術長 Siddarth G. Sundaresan 表示，獲得 ALATTIS 計畫獎項，是公司在高壓碳化矽功率元件發展上的重要里程碑，也肯定了 Navitas 在提供可靠高壓、大功率碳化矽技術方面的持續創新。他補充道，此計畫將使 Navitas 透過其獨特的專利溝槽輔助平面（TAP）架構，結合先進 PiN 二極體技術，將其領導地位從碳化矽 MOSFET 延伸至下一代 10 kV 碳化矽 IGBT。

這項合作消息也提振了市場信心。據《Seeking Alpha》指出，消息一出，Navitas Semiconductor 的股價應聲上漲，反映投資者對其在國防科技領域發展潛力的樂觀預期。由於台灣在全球半導體供應鏈中佔有關鍵地位，相關技術如碳化矽功率半導體的進展，也將是台灣半導體產業鏈與投資者未來關注的焦點。

參考來源

• The U.S. Army chose Navitas to develop 10,000-volt devices f…（SEC EDGAR）

• Navitas jumps after US Army picks it to develop next-gen sil…（Seeking Alpha）