中國長鑫儲存 LPDDR6 將量產 記憶體市場現新挑戰

商傳媒｜責任編輯／綜合外電報導

中國長鑫儲存（CXMT）正準備推出新一代 LPDDR6 行動記憶體，此舉預料將在全球記憶體市場掀起波瀾，直接挑戰韓國記憶體製造商如三星電子（Samsung Electronics）與 SK海力士（SK hynix）的領導地位。

根據《CHOSUNBIZ》報導，長鑫儲存的核心關係企業已幾乎完成 LPDDR6 的研發驗證，正進入量產前的關鍵階段。LPDDR6，即低功耗雙倍資料速率第六代記憶體，主要為智慧型手機與平板等行動裝置設計，能透過低電壓運作來降低功耗。產業跡象顯示，長鑫儲存正積極推動 LPDDR6 的發展，已向主要客戶供應樣品，並可能於今年下半年發表產品並開始量產。這款記憶體設計標準最高支援 12.8 Gbps 的速度，並提升了可靠度與可維護性。長鑫儲存的上市招股說明書顯示，LPDDR5 已於 2023 年量產，DDR5 於 2024 年量產，LPDDR5X 則於 2025 年量產。去年，長鑫儲存的營收有 66.43% 來自 LPDDR 產品。

面對來自中國業者的挑戰，全球記憶體大廠也積極佈局。SK海力士已於今年三月宣布，成功開發出採用 10 奈米級第六代（1c）製程的 16Gb LPDDR6 動態隨機存取記憶體（DRAM）。該公司目標已於今年上半年完成 LPDDR6 的量產準備，並將於今年下半年開始供貨。有中國媒體分析指出，SK海力士正加速 LPDDR6 的量產時程，以應對長鑫儲存帶來的競爭，並計畫將小米（Xiaomi）等中國智慧型手機製造商鎖定為 LPDDR6 的早期客戶。

三星電子方面，雖已於今年一月在 2026 年消費性電子展（CES 2026）上展示 LPDDR6，但尚未公布具體的量產時間表。美國記憶體大廠美光（Micron）則在今年六月的財報電話會議中表示，預期 DRAM 需求中心將從 LPDDR5 和 DDR5 轉向 LPDDR6 和 DDR6。

《China Business News》預測，若長鑫儲存能在今年下半年啟動 LPDDR6 的量產，將直接在下一代行動 DRAM 市場上與 SK海力士展開競爭。這不僅凸顯中國半導體產業在記憶體領域的崛起，也預示著全球行動記憶體市場的競爭將更為白熱化，對既有領導者構成實質挑戰。台灣半導體產業鏈的業者將會密切關注這場競爭所帶來的產業版圖變化。